三星扩产留一手 DRAM缺货到明年

  包括、SK海力士、美光等三大厂近2年来产能扩张幅度有限,加上20纳米以下先进制程转换难度提高,位元供给成长明显较往年放缓。但由需求面来看,智慧型手机搭载容量快速增加,物联网及汽车电子的需求亦进入倍数成长阶段。也因此,在供给吃紧情况下,价格由去年下半年一路涨到今年底,累计涨幅已将超过1倍。

  以4GBDDR4模组合约价来看,去年第3季平均价格仅13美元,但今年第4季价格已大涨至30.5美元,不仅价格已连续6季度调涨,累计涨幅亦超过1.3倍。想当然尔,DRAM价格大涨也明显推升DRAM厂获利表现,今年DRAM事业营业利益逐季创下历史新高,也成为集团最赚钱的金鸡母。

  不过,DRAM缺太久而且价格涨太多,的确已经让全球电子产业界怨声载道,面对来自客户的压力,三大DRAM厂不扩产实在说不过去,也因此,三星决定将其平泽12吋晶圆厂2楼原本要用来扩充NANDFlash产能的部份厂房空间,转为扩充DRAM产能并全数采用18纳米制程。

  三星要扩产DRAM消息一传开,三星自己都还没说分明,外界反而开始替三星规划起产能来了,市场一度传出三星明年可能每个月扩增10万片以上DRAM投片量。不过,三星在日前法说会中已经说明白,会维持DRAM位元成长率与市场平均成长率相同,这个说法代表的就是三星对于扩充DRAM产能的态度仍然趋于保守,而目的自然是要维持目前的强劲获利及庞大现金流量。

  事实上,三星去年及今年投在DRAM事业的资本支出早已超过100亿美元,但实际上却没有看到太多DRAM产能开出,其中关键原因在于制程由20纳米微缩进入1x纳米之后,晶圆投片到产出的生产周期拉长,原本20纳米每月10万片产能的生产线,改成1x纳米后月产能急降至8万片以下。

  在此一情况下,三星新增产能只能用来填补原本自然减损的产能,近2年投入的100亿美元资金,实际上只能维持每月总投片量在40万片规模。由此来看,三星明年资本支出虽大幅提升,但多数仍用于3DNAND及10纳米晶圆代工,在DRAM的扩产上明显保守。

  由此来看,三星的用意很明显,就是要用DRAM的获利来支撑集团其它事业的发展,而且以三星及SK海力士等韩系DRAM厂的扩产计划来看,新晶圆厂要真正进入量产阶段,最快也要等到2018年第4季,实际有产出也要等到2019年上半年。也因此,DRAM明年仍将会是供给吃紧的一年,DRAM业者获利仍有很不错的成长空间。

连接器模具

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